TP65H150G4PS

Name: TP65H150G4PS
Brand: Transphorm

模拟与电源

GAN FET N-CH 650V TO-220

在产TO-220-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 8.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	598 pF @ 400 V
制造商	Transphorm
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	SuperGaN®
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 500µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
最大功耗	83W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)