TP65H050WS

Name: TP65H050WS
Brand: Transphorm

模拟与电源

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 22A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
制造商	Transphorm
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	在产
技术	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Tc)
最大功耗	119W (Tc)

Package / Case	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247-3

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)