TP65H050G4BS

Name: TP65H050G4BS
Brand: Transphorm

模拟与电源

650 V 34 A GAN FET

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 22A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
制造商	Transphorm
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	SuperGaN®
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Tc)
最大功耗	119W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)