通用
| Capacitance @ Vr, F | 263pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 产品状态 | 在产 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.34 V @ 4 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 55 µA @ 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
机械
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 4-DFN-EP (8x8) |
环境
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|