TPH1R712MD,L1Q

Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

在产8-PowerVDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 30A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10900 pF @ 10 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	U-MOSVI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
最大功耗	78W (Tc)

工作温度	150°C(TJ)