TPCC8065-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8065-H,LQ(S

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列U-MOSVII-H
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 200µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta)
最大功耗700mW (Ta), 18W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-TSON Advance (3.1x3.1)

环境

工作温度150°C(TJ)