TPCC8009,LQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8009,LQ(O

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 10V
基础料号TPCC8009
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列U-MOSIV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 200µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-TSON Advance (3.1x3.1)

环境

工作温度150°C (TJ)