TPCA8128,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8128,L1Q

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 17A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列U-MOSVI
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -25V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 500µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta), 45W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-SOP Advance (5x5)

环境

工作温度150°C