TPC6111(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6111(TE85L,F,M)

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列U-MOSV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装VS-6 (2.9x2.8)

环境

工作温度150°C (TJ)