TPC6110(TE85L,F,M)

Name: TPC6110(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 2.2A, 10V
基础料号	TPC6110
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 10 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	U-MOSVI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 100µA

漏源电压	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
最大功耗	700mW (Ta)

工作温度	150°C(TJ)