通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | TK60E08 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 75 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| 最大功耗 | 128W |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |