TK5P60W5,RVQ

Name: TK5P60W5,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	990mOhm @ 2.3A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	370 pF @ 300 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
系列	DTMOSIV
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 230µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
最大功耗	60W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	DPAK

工作温度	150°C