通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | TK50E06 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | U-MOSIV |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |