TK15J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15J60U(F)

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 15A TO3P

停产/老旧TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列DTMOSII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
最大功耗170W (Tc)

机械

封装Tray
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)

环境

工作温度150°C(TJ)