TK14G65W5,RQ

Name: TK14G65W5,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 6.9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 300 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	DTMOSIV
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 690µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.7A (Ta)
最大功耗	130W (Tc)

工作温度	150°C(TJ)