TK065Z65Z,S1F

Name: TK065Z65Z,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 19A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3650 pF @ 300 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	在产
系列	DTMOSVI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.69mA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	38A (Ta)
最大功耗	270W (Tc)

Package / Case	TO-247-4
供应商器件封装	TO-247-4L(T)

工作温度	150°C