TK055U60Z1,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK055U60Z1,RQ

Datasheet

模拟与电源

600V DTMOS VI TOLL 55MOHM

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3680 pF @ 300 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.69mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
最大功耗270W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装TOLL

环境

工作温度150°C