TK040Z65Z,S1F

Name: TK040Z65Z,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 28.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6250 pF @ 300 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	DTMOSVI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.85mA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	57A (Ta)
最大功耗	360W (Tc)

工作温度	150°C