SSM6P35AFE,LF

Name: SSM6P35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
基础料号	SSM6P35
配置	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	42pF @ 10V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	U-MOSVII
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 100µA

漏源电压	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Power - Max	150mW (Ta)

工作温度	150°C