SSM6K504NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K504NU,LF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 15 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列U-MOSVII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-UDFNB (2x2)

环境

工作温度150°C (TJ)