SSM6K202FE,LF

Name: SSM6K202FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 1.5A, 4V
基础料号	SSM6K202
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270 pF @ 10 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
最大功耗	500mW (Ta)

工作温度	150°C (TJ)