SSM6J511NU,LF

Name: SSM6J511NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 4A, 8V
基础料号	SSM6J511
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3350 pF @ 6 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	U-MOSVII
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

漏源电压	12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)