SSM6J50TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J50TU,LF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6

在产6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 1.5A, 4.5V
基础料号SSM6J50
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列U-MOSIV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装UF6

环境

工作温度150°C