SSM5N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N16FUTE85LF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 100MA USV

在产5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
基础料号SSM5N16
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.3 pF @ 3 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列π-MOSVI
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
最大功耗200mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供应商器件封装5-SSOP

环境

工作温度150°C(TJ)