SSM5N15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N15FE(TE85L,F)

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 100MA ESV

在产SOT-553模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 10mA, 4V
基础料号SSM5N15
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7.8 pF @ 3 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列π-MOSVI
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
最大功耗150mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-553
供应商器件封装ESV

环境

工作温度150°C (TJ)