SSM3K72CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CTC,L3F

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 150MA CST3C

在产SC-101, SOT-883模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列U-MOSVII-H
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
供应商器件封装CST3C

环境

工作温度150°C (TJ)