SSM3K2615R,LF

Name: SSM3K2615R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F

在产SOT-23-3 Flat Leads模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 1A, 10V
基础料号	SSM3K2615
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 10 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	π-MOSV
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta)
最大功耗	1W (Ta)

工作温度	150°C (TJ)