SSM3K16FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16FV,L3F

Datasheet

模拟与电源

PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR

在产SOT-723模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.3 pF @ 3 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
最大功耗150mW (Ta)

机械

Package / CaseSOT-723
供应商器件封装VESM

环境

工作温度150°C