SSM3K116TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU,LF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM

在产3-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
基础料号SSM3K116
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds245 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列U-MOSIII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

Package / Case3-SMD, Flat Leads
供应商器件封装UFM

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)