SSM3K106TU(TE85L)

Name: SSM3K106TU(TE85L)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

停产/老旧3-SMD, Flat Leads模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	310mOhm @ 600mA, 10V
基础料号	SSM3K106
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36 pF @ 10 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	π-MOSVI
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.2A (Ta)
最大功耗	500mW (Ta)

工作温度	150°C (TJ)