SSM3J64CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J64CTC,L3F

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 1A CST3C

在产SC-101, SOT-883模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs370mOhm @ 600mA, 4.5V
基础料号SSM3J64
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列U-MOSVII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-101, SOT-883
供应商器件封装CST3C

环境

工作温度150°C