SSM3J15F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J15F,LF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 10mA, 4V
基础料号SSM3J15
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.1 pF @ 3 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 100µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
最大功耗200mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装S-Mini

环境

工作温度150°C