SSM3J14TTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J14TTE85LF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.35A, 10V
基础料号SSM3J14
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds413 pF @ 15 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列U-MOSII
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TSM

环境

工作温度150°C (TJ)