GT50N322A

Toshiba Semiconductor and Storage

GT50N322A

Datasheet

模拟与电源

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC

在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

输入类型Standard
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)800 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 60A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1000 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max156 W

机械

封装Tray
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)

环境

工作温度150°C (TJ)