GT30J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J121(Q)

Datasheet

模拟与电源

IGBT 600V 30A 170W TO3PN

在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号GT30J121
输入类型Standard
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Through Hole
Product StatusActive
Switching Energy1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C90ns/300ns
Test Condition300V, 30A, 24Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 30A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max170 W

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)