2SK3700(F)

Name: 2SK3700(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

模拟与电源

MOSFET N-CH 900V 5A TO3P

在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 3A, 10V
基础料号	2SK3700
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 25 V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

漏源电压	900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
最大功耗	150W (Tc)

工作温度	150°C(TJ)