2SK2963(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2963(TE12L,F)

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI

停产/老旧TO-243AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
供应商器件封装PW-MINI

环境

工作温度150°C (TJ)