2SK2917(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2917(F)

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS

停产/老旧TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3720 pF @ 10 V
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta)
最大功耗90W (Tc)

机械

Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)IS

环境

工作温度150°C (TJ)