TPS1101D

Texas Instruments

TPS1101D

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 10V
基础料号TPS1101
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.25 nC @ 10 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+2V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)
最大功耗791mW (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)