LMG3425R050RQZT

Texas Instruments

LMG3425R050RQZT

Datasheet

模拟与电源

600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT

在产54-VQFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

输出配置Half Bridge
Rds On (Typ)43mOhm
应用General Purpose
Fault ProtectionOver Current, Over Temperature, UVLO
特性Bootstrap Circuit, Latch Function, Slew Rate Controlled
接口PWM
Load TypeInductive, Capacitive, Resistive
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

每通道输出电流1.2A
Current - Peak Output1.2A
负载电压7.5V ~ 18V
供电电压7.5V ~ 18V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case54-VQFN Exposed Pad
供应商器件封装54-VQFN (12x12)

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)