CSD88599Q5DC

Texas Instruments

CSD88599Q5DC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

在产22-PowerTFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
基础料号CSD88599Q5
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4840pF @ 30V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Power - Max12W

机械

Package / Case22-PowerTFDFN
供应商器件封装22-VSON-CLIP (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)