CSD87502Q2

Texas Instruments

CSD87502Q2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs32.4mOhm @ 4A, 10V
基础料号CSD87502
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds353pF @ 15V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
Power - Max2.3W

机械

Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WSON (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)