CSD87312Q3E

Texas Instruments

CSD87312Q3E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 7A , 8V
基础料号CSD87312Q3
配置2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 15V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A
Power - Max2.5W

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-VSON (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)