CSD86350Q5DT

Texas Instruments

CSD86350Q5DT

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
基础料号CSD86350
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

电气

漏源电压25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
Power - Max13W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-LSON (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)