CSD75211W1723

Texas Instruments

CSD75211W1723

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

停产/老旧12-UFBGA, DSBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2A, 4.5V
基础料号CSD75211
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case12-UFBGA, DSBGA
供应商器件封装12-DSBGA

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)