CSD75208W1015T

Texas Instruments

CSD75208W1015T

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA

在产6-UFBGA, DSBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 1A, 4.5V
基础料号CSD75208
配置2 P-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 10V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A
Power - Max750mW

机械

Package / Case6-UFBGA, DSBGA
供应商器件封装6-DSBGA (1x1.5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)