CSD25501F3

Texas Instruments

CSD25501F3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

在产3-XFLGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs76mOhm @ 400mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds385 pF @ 10 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列FemtoFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFLGA
供应商器件封装3-LGA (0.73x0.64)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)