CSD25301W1015

Texas Instruments

CSD25301W1015

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

停产/老旧6-UFBGA, DSBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 10 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

Package / Case6-UFBGA, DSBGA
供应商器件封装6-DSBGA (1x1.5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)