CSD23382F4

Texas Instruments

CSD23382F4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs76mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 6 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列FemtoFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装3-PICOSTAR

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)