CSD18543Q3AT

Texas Instruments

CSD18543Q3AT

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.6mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 30 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 60A (Tc)
最大功耗66W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-VSONP (3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)